Electronic Grade Aluminium Hypophosphite

Gradus electronici aluminii hypophosphitae evoluta et producta per Taixing innovatively nucleum technologiarum electronicarum graduum rudis materialis purificationis ac praecisionis gradatim modificationis adoptat. Summus puritate utitur Al (H ₂ PO ) I3 ut matrix, cum puritate super 99.8% et phosphoro contento ≥ 42.5%. Componit flammam efficientem retardentiam et effectum electricam optimum. Cum sola 6%-10% additione, consequi potest 1.6mm crassitudinem UL 94 V-0 flamma retardant, omnino solvendo industriam problemata flammae traditionalis retardantium "substratorum contaminantium, impedimento electrica effectus, et electronici gradus obsequio occurrere non valens". Praebet solutionem materiae electronicae tutam et obsequentem nucleum summus terminus.

core vires

1. Ultra altam puritatem et humilem immunditiam, ad strictam electronic gradus requisita

- Ultimus processus purificationis efficit puritatem: usus coniunctio "multi-statis recrystallizationis + praecisione filtrationis+vacui degradationis" processus, productus puritas est ≥ 99,8%, longe altior quam gradus industrialis 99% vexillum, efficaciter removens immunditias noxias sicut chloridi iones (≤ 0.001%) et sulfates (≤ 0.002%), vitans immunditiam migrationum electronicarum.

-Ultra humilis residua metalli gravis: Per detectionem ICP-MS, tota contenta metallorum gravium ut plumbi, mercurii, cadmi etc. est ≤ 0.5ppm, longe infra RoHS 2.0 limites requisitorum. Nullae reliquiae phthalatarum (DEHP/BBP etc.), plene occurrentes signa "humilis pollutio, alta munditia" signa pro materiae gradu electronico.

- Maximum phosphoro contentum efficit flammam retardentiam efficientem: Cum phosphoro contentum ≥ 42.5%, flamma retardatio efficientia augetur per 40% ad vulgarem aluminium hypophosphitum. Compositis cum synergistis ut MCA et APP, additis 8% ad PCB subiecti, potest consequi V-0 gradum flammae retardationis sine affectibus proprietatibus dielectricis subiecti.

2. Optima electricae perficiendi operatio stabilis electronic cogitationes efficit

- Damnum dielectricum et altum Nullae: dielectricae constant (1MHz) ≤ 3.8, factor amissionis dielectricae ≤ 0.005, volumen resistivity ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. Additio signanter non mutat proprietates electricas subiecti, ut signum transmissionis stabilitas semiconductoris packaging et frequentia instrumentorum communicationis summus.

- Praestantiae anti- ion migrationis notae: Postquam positae in humido et calido ambitu 85℃/85% RH pro 1000 horis, nulla est phaenomenon migrationis conspicuum, vitans electronicarum partium ab experiendo "defectio migrationis electrica" ​​et occurrens diuturnum ministerium requisita novarum energiae gravidarum, electronicarum autocineticorum et aliorum inventarum.

- Bonus non corrosivitas et compatibilitas: valor pH stabilis est ad 3.5-4.5, et nullum effectum corrosivum in contactibus metallicis et in tabularum circuitione habet. Praeclara compatibilitas cum electronicis gradibus subiecta est ut epoxy resina, PA, PBT, etc., nec degradationem vel corruptionem perficiendi causat.

Application missiones

Semiconductor et electronic packaging agri

-Applicationes: Semiconductor chips packaging materiae, electronic potting adhaesiones componentes, ambitu insterni integratae

Sicut humilis dielectric filler ut reponat aliquid Micro pulveris siliconis, addita copia 15-30% est. Servans fluiditatem dielectricam constantem ab 0.2-0.3 reducit et flammam retardationem ad UL94 V-0 meliorat. Ponitur pro CPU, GPU, ac repositione chip packaging.

Typis Circuit Tabula (PCB) agri

-Applicationes: materiae subiectae PCB, laminae aereae flammeae retardatae, casingae tabulae ambitus.

- Minimum laminarum aeneorum vestitorum (CCL): composita cum summa frequentia resina ut PTFE, PPO, cyanata ester etc., addito E-AHP100 20-40%, assequendo Dk 3.2-3.8 et Df<0.005, occurrens exigentiis 5G millimetris fluctuum antennarum tabularum et servo summo cursu tabularum.

Si quaeris gradum aluminium phosphatem electronicum, flamma retardantia pro elementis electronicis, flamma retardantiae PCB subiectae, et flamma retardantia novarum energiae gravidarum, Taixing optimus particeps erit et cooperationem infimum pretium praestabimus!